Cambios superficiales en el Silicio inducidos por irradiación láser con un solo pulso, modelo y simulación

Cambios superficiales en el Silicio inducidos por irradiación láser con un solo pulso, modelo y simulación Public Deposited

In Administrative Set:	Tesis Posgrado

Attribute Name	Values
Creador	Acosta Zepeda, Carlos Enrique
Contributors	Sánchez Ake, Citlali Rio Haza, Fernando Mario del Escobar Alarcón, Luis Díaz Herrera, Jesús Enrique Martínez Mares, Moisés Haro Poniatowski, Emmanuel
Tema	Silicio -- Propiedades ópticas Semiconductors Silicon -- Properties Semiconductores
Editor	Universidad Autónoma Metropolitana
Idioma	spa
Identificador	https://doi.org/10.24275/uami.g732d901r
Keyword	Irradiación láser Silicio Simulación
Año de publicación	2019
Tipo de Recurso	info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Derechos	Acceso Abierto
División académica	Ciencias Basicas e Ingenieria
Línea académica	Física
Licencia	Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)

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Last modified: 02/02/2023

Citations:

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	UAMII22809.pdf	2020-05-19	Public	Download