Cambios superficiales en el Silicio inducidos por irradiación láser con un solo pulso, modelo y simulación

Cambios superficiales en el Silicio inducidos por irradiación láser con un solo pulso, modelo y simulación Öffentlichkeit Deposited

Im Admin-Set:	Tesis Posgrado

Attributname	Werte
Creador	Acosta Zepeda, Carlos Enrique
Mitwirkende	Sánchez Ake, Citlali Rio Haza, Fernando Mario del Escobar Alarcón, Luis Díaz Herrera, Jesús Enrique Martínez Mares, Moisés Haro Poniatowski, Emmanuel
Tema	Silicio -- Propiedades ópticas Semiconductors Silicon -- Properties Semiconductores
Editor	Universidad Autónoma Metropolitana
Idioma	spa
Identificador	https://doi.org/10.24275/uami.g732d901r
Stichwort	Irradiación láser Silicio Simulación
Año de publicación	2019
Tipo de Recurso	info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Derechos	Acceso Abierto
División académica	Ciencias Basicas e Ingenieria
Línea académica	Física
Licencia	Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)

Analytics

Zuletzt geändert: 02/02/2023

Zitate:

Miniaturansicht	Titel	Datum Upload	Sichtbarkeit	Aktionen
	UAMII22809.pdf	2020-05-19	Öffentlichkeit	Download