Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado Público Deposited
Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los huecos de la banda de valencia y los centros paramagnéticos. Estas interacciones son el mecanismo de la recombinación dependiente del espín, la interacción hiperfina en las trampas paramagnéticas, las interacciones de Zeeman en los electrones de la banda de conducción y de las trampas. Con los resultados del modelo, proponemos un esquema de pulso-prueba óptico que nos permite trazar y detectar el flip-flop del espín electrón-núcleo de los centros en el GaAsN en evolución temporal [1]. Las predicciones del modelo fueron confirmadas experimentalmente [2] dando resultados notablemente parecidos a los predichos teóricamente. Los resultados experimentales muestran que los procesos de filtrado y de polarización del espín tienen fluctuaciones debido al flip-flop causado por la interacción hiperfina en las trampas. Las fluctuaciones en el filtrado fueron vistas a través de la intensidad de la fotoluminiscencia y la razón de recombinación dependiente del espín. Además, mostramos cuáles son las condiciones óptimas del experimento para detectar el flip-flop en las tres direcciones espaciales [3]. Este esquema es totalmente óptico y no requiere campos magnético externos y/o radiaciones de microondas como los métodos de resonancia magnética nuclear.
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