Dinámica de la polarización del espín electrónico y nuclear en trampas paramagnéticas de Ga en GaAsN Público Deposited

Recientemente las propiedades de espín en muestras de GaAs dopadas con pequeñas cantidades de Nitrógeno han recibido un gran interés debido a la alta polarización del espín alcanzada por los electrones de la banda de conducción bajo excitación óptica de luz circularmente polarizada a temperatura ambiente. La incorporación de átomos de Nitrógeno desplaza a algunos Ga a los sitios intersticiales de la red creando estados localizados en la brecha de la banda prohibida. A estos estados se le conocen como centros de recombinación o trampas paramagnéticas. Debido a las propiedades de los centros de recombinación, estos capturan selectivamente electrones de la banda de conducción dependiendo de su orientación de espín. Este mecanismo origina altas polarizaciones de espín electrónicas y nucleares cuando la muestra es sujeta a bombeo óptico de luz circularmente polarizada. En esta tesis, estudiamos teóricamente la dinámica de polarización del espín electrónico y nuclear así como el papel desempeñado por la interacción hiperfina entre el electrón y núcleo en las trampas paramagnéticas. Para esto, desarrollamos un modelo de ecuación maestra para el operador matriz de densidad basado en la teoría de sistemas cuánticos abiertos. Este toma en cuenta las interacciones de Zeeman e hiperfina entre el espín electrónico y nuclear de los defectos intersticiales Ga de filtro de espín. Este enfoque nos permite identificar los principales mecanismos de relajación del espín de electrones y núcleos basados en la teoría de relajación de Wangsness–Bloch–Redfield. El actual modelo reproduce correctamente las principales características de los resultados experimentales de la intensidad de la fotoluminiscencia y del grado de polarización del espín de los electrones de la banda de conducción como función del campo magnético y de la excitación óptica. Incluso ha permitido predecir la observación de las oscilaciones coherentes de los electrones y núcleos en las trampas por medio de un esquema de pulso–prueba. El estudio de este tipo de sistemas es importante para diseñar dispositivos espintrónicos que pudieran operar a temperatura ambiente.

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  • 2018
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Última modificación: 09/07/2022
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